金融界2024年11月22日消息，国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“高频响应的复合单晶薄膜及其制备方法，及调制器”的专利，公开号CN 118981122 A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本申请公开高频响应的复合单晶薄膜及其制备方法，及调制器，其中，复合单晶薄膜从下到上依次至少包括：高介电常数材料层、低介电常数材料层、电光晶体薄膜层。低介电常数材料层与电光晶体薄膜层中还设置隔离层，该薄膜兼顾硅材料工艺成熟度及低介电材料的高频响应特性应用于调制器。制备方法包括高介电常数材料层和低介电常数材料层键合得第一键合体；电光晶体材料进行离子注入并键合剥离得到复合单晶薄膜，或在第一键合体沉积隔离层与电光晶体薄膜层键合；还包括在另一高介电常数材料层生成氧化层与电光晶体薄膜层键合后与第一键合体隔离层键合，腐蚀，得到复合单晶薄膜。制备方法具备应力小，周期短，与现有工艺兼容度高，利于规模化生产。

　　特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。

　　程序员错扔7500枚比特币，价值51亿！恼羞成怒蹲守垃圾场11年：谁帮我挖到就分钱！

　　39岁仍是神！C罗炸裂了：18分钟双响创纪录，亚冠率队3-1接近出线岁C罗再成历史第一人！1神迹超越梅西创纪录 马斯克：祝贺

　　史上最强Mate来袭！华为Mate 70/Pro/Pro+正式发布：5499元起